Кульбачинский В.А.
Физика наносистем / В.А. Кульбачинский. - Москва : Физматлит, 2022. - 767 с. : ил. - Библиогр. в конце глав. - ISBN 978-5-9221-1913-9.

Шифры: 537.6 - К 906

Аннотация: Представлены самые последние достижения в области физики наносистем, технологии получения и применения низкоразмерных структур. Излагаются теоретические и экспериментальные основы физики полупроводниковых наноструктур, сверхрешеток, низкоразмерных аллотропных модификаций углерода: графена, фуллерена, нанотрубок. Уделяется особое внимание топологическим эффектам в кристаллах, явлениям, связанным с поверхностными и краевыми состояниями в топологических изоляторах и вейловских металлах, квантовой нелокальности, квантовым и тепловым флуктуациям в сверхпроводящих системах мезоскопических размеров. Рассматриваются целочисленный и дробный квантовые эффекты Холла, спинтроника, магноника, спиновая калоритроника. Предложены новые концептуальные подходы и экспериментальные методы, а также оригинальные объяснения, опирающиеся на исследования, выполненные автором. Предназначается специалистам в области физики наносистем, физики конденсированного состояния, физики низких температур и сверхпроводимости. Детальное рассмотрение физических основ обсуждаемых явлений и свойств обходится без использования специальных методов теоретической физики, что делает изложение доступным для широкого круга профессиональных читателей. Будет полезна научным сотрудникам, аспирантам и студентам, а также всем, интересующимся последними открытиями и достижениями в этих областях.

Экземпляры: Всего: 2, из них: чзнл-2

Григорьев А.Д.
Терагерцевая электроника / А.Д. Григорьев. - Москва : ФИЗМАТЛИТ, 2021. - 305 с. : ил. - Библиогр.: с.288-300 (216 назв.). - ISBN 978-5-9221-1882-8.

Шифры: 621.385 - Г 834

Аннотация: В книге рассматриваются свойства электромагнитных колебаний и волн терегерцового деапозона, особенности их взаимодействия с веществом и причины образования так называемого "терагерцевого провала". Изложены принципы действия, элементы теории, конструкции и параметры источников и детекторов терагерцевого излучения, основных как на квантовых эффектах, так и на процессах транспорта носителей заряда в разных средах. Рассматриваются лазеры терагерцевого диапазона, источники детекторы, основанные на фото проводимости; полупроводниковые, сверхпроводящие и вакуумные источники и детекторы. Подробно описаны проблемы продвижения "классических" микроволновых электровакуумных приборов в терагерцовый диапазон. Автор надеется, что книга будет полезна разработчикам приборов и аппаратуры терагерцевого и миковолнового диапазонов, аспирантам и студентам, изучающим микроволновую электронику, а также ученым и инженерам, использующим терагерцевое излучение в своей деятельности.

Экземпляры: Всего: 2, из них: чзнл-1, ЭБС-1

Белоус А.И.
Основы конструирования высокоскоростных электронных устройств. Краткий курс "белой магии" / А.И. Белоус, В.А. Солодуха, С.В. Шведов ; под общ. ред. А.И. Белоуса. - Москва : ТЕХНОСФЕРА, 2020. - 871 с. : ил. - (Мир электроники. VII. 61). - Библиогр. в конце глав. - ISBN 978-5-94836-500-8.

Шифры: 621.385 - Б 438

Аннотация: Впервые в отечественной научно-технической литературе в объеме одной книги детально и последовательно рассмотрен комплекс теоретических и практических аспектов проектирования и организации производства различного рода радиоэлектронных устройств, приборов и систем, общим и основным отличительным признаком которых является высокая скорость обработки и передачи данных. В быстродействующих цифровых схемах, составляющих основу аппаратной части современных быстродействующих электронных устройств, короткие фронты обрабатываемых и передаваемых сигналов приводят к появлению множества нежелательных эффектов - разработчики таких устройств на практике имеют дело с искаженными до неузнаваемости цифровыми сигналами, которые к тому же передаются на фоне множественных помех. Поскольку многие из вопросов, включенных в эту книгу, ранее не рассматривались в стандартных учебных курсах, инженеры-практики часто относятся к эффектам, проявляющимся в высокоскоростных цифровых устройствах, как к чему-то мистическому, поэтому в своей профессиональной среде называют их «эффектами черной магии», имея в виду, что на высоких частотах с быстродействующими устройствами происходит что-то необычное и необъяснимое. В больщинстве случаев в устройствах «низкой» и «средней» производительности эти эффекты себя не проявляют, но с увеличением скорости обработки и скорости передачи данных они фактически стали преградой на пути повышения производительности современных информационно-коммуникационных и телекоммуникационных систем. В монографии рассмотрены основные теоретические и практические аспекты проектирования быстродействующих электронных устройств «по полной цепочке» - от верхнего системного уровня иерархии до уровня базовых элементов и плат. Книга ориентирована на широкий круг читателей: студентов, аспирантов, преподавателей технических университетов, инженеров, специализирующихся в области разработки и организации производств различного рода радиоэлектронных устройств, приборов и систем, к которым предъявляются требования обеспечения высокой скорости обработки и передачи данных.

Экземпляры: Всего: 3, из них: абнл-1, чзнл-2

Джонс М.Х.
Электроника - практический курс / М.Х. Джонс ; перевод с английского Е.В. Воронова, А.Л. Ларина. - Изд. 2-е, испр. - Москва : Техносфера, 2013. - 510 с. : ил. - (Мир электроники. VII-22). - Библиогр.: с. 498-499. - ISBN 978-5-94836-341-7.

Шифры: 621.385 - Д 424

Аннотация: В книге - переводе последнего, третьего, английского издания - рассмотрены принципы построения базовых схем современной электроники, широкого спектра как аналоговых, так и цифровых устройств. Это учебное пособие для студентов средних и высших учебных заведений радиотехнических и электронных специальностей наверняка будет полезно широкому кругу радиолюбителей. При переводе сохранены обозначения и терминология, отличные от принятых в отечественной литературе, что может быть полезно читателям при дальнейшем изучении технической литературы стран Запада. Для элементов, используемых в рассматриваемых примерах, указаны отечественные аналоги. Перевод выполнен доцентами кафедры радиотехники МФТИ.

Экземпляры: Всего: 2, из них: чзнл-1, ЭБС-1

Орлов А.В.
Радиационное порообразование и сегрегация в металлических системах / А.В. Орлов ; ФГБОУ ВПО "Югорск. гос. ун-т". - Ханты-Мансийск : УИП ЮГУ, 2013. - 273 с. : ил. - Библиогр.: с.250-273 (247 назв.). - ISBN 978-5-9611-0082-2.

Шифры: 539.2 - О-664

Аннотация: В книге исследуются диффузионные процессы в металлических системах, обусловленные облучением высокоэнергетическими частицами. При описании явлений, закономерностей решаются задачи физической кинетики в твердом теле с преимущественным использованием термодинамического подхода. Рассматриваются вопросы неустойчивости и самоорганизации. №-гранта: 13-08-07013

Экземпляры: Всего: 2, из них: чзнл-1, ЭБС-1

Импульсная электроника / Е.Ф. Лебедев, Е.А. Мелешко, Ю.С. Протасов, К.Ю. Сахаров ; под общ. ред. И.Б. Федорова. - Москва : Янус-К, 2011-. - (Электроника в техническом университете. Прикладная электроника).
Ч. 2 : Высокоэнергетичная импульсная электроника. - 2013. - 670 с. : ил. - Библиогр.: с.666-667. - ISBN 978-8037-0550-5.

Шифры: 621.37 - И 546

Аннотация: Книга посвящена наиболее актуальным разделам инженерного анализа импульсных устройств и систем, в том числе - и ультракоротких длительностей. Последовательно рассмотрены пробойные явления в диэлектрических средах, импульсные разрядные процессы в газовакуумных условиях и конденсированных веществах, элементы теории электрических цепей. Кратко описана элементная база импульсной высо-коэнергетичной электроники для энергогенерирующих и преобразующих импульсных устройств различного назначения, включая - источники и накопители энергии, импульсные генераторы токов и напряжений, коммутаторы и разрядники и др. Подробно рассмотрены ряд разделов техники импульсного эксперимента, описаны методы генерации и обострения фронтов, схемы устройств обработки и регистрации на-но- пикосекундных импульсов, а также методические вопросы диагностики и метрологии импульсных процессов. Книга предназначена для инженеров и научных работников, специализирующихся в области общей и прикладной электроники, высокоэнергетичной фотоники и может быть полезна для аспирантов и студентов технических университетов.

Экземпляры: Всего: 2, из них: чзнл-1, чзТаганка-1

Грундман М. (1964-).
Основы физики полупроводников. Нанофизика и технические приложения / М. Грундман ; перевод с английского под ред. В.А. Гергеля. - 2-е изд. - Москва : Физматлит, 2012. - 771 с., [3] л. цв. ил. : ил. - Пер.: Grundmann, Marius The Physics of Semiconductors 978-3-642-13883-6. - Библиогр.: с.711-751 (1484 назв.). - Указ. - ISBN 978-5-9221-1394-6.

Шифры: 537.3 - Г 907

Аннотация: В учебнике известного немецкого физика М. Грундмана излагаются как фундаментальные основы физики твердого тела, так и последние достижения в области физики полупроводников и полупроводниковых приборов. Особое внимание уделяется оптоэлектронным и электромеханическим эффектам в сложных полупроводниковых структурах с микро- и наноразмерами функциональных элементов. Подробно рассматриваются приборные и схемотехнические реализации теоретических моделей. Изложены технические аспекты получения полупроводников и изготовления полупроводниковых структур.Во второе издание добавлены самые последние достижения в исследованиях органических и магнитных полупроводников, нанотехнологий, тонкопленочных транзисторов, прозрачных проводящих оксидов, новых типов солнечных батарей.Для научных работников и инженеров, работающих в области электроники и вычислительной техники, и студентов старших курсов соответствующих специальностей.

Экземпляры: Всего: 3, из них: абнл-1, МАТИ-АМ-1, чзнл-1

Академик Ю.А. Осипьян : избранные труды : [сборник] / РАН, Инсьитут физики твердого тела; [сост. А.А. Левченко]. - Москва : Борей, 2012. - 477, [2] с.477, VIII л. ил., портр. : ил., портр., табл. - Текст рус., англ. - Библиогр. в конце тр. - Список трудов Юрия Андреевича Осипьяна: с. 453-474. - ISBN 978-5-98393-020-9.

Шифры: 539.2 - А 381

Аннотация: Этот сборник посвящен 80-летию со дня рождения выдающегося ученого и крупного государственного деятеля нашей страны академика Российской академии наук Юрия Андреевича Осипьяна (1931–2008 гг.). Основное направление исследований Юрия Андреевича – физика твердого тела. Результаты работ, выполненных Ю.А. Осипьяном с сотрудниками в 1960-е г., привели к созданию нового научного направления – дислокационная физика, которое успешно развивается и в настоящее время. Вошедшие в сборник статьи распределены довольно условно по четырем разделам: первые работы; изучение свойств дислокаций в полупроводниках; высокотемпературные сверхпроводники; физика фуллеренов и наноструктурированных углеродных материалов. Каждый из разделов отражает эволюцию основных направлений исследований Юрия Андреевича и созданной им «школы Осипьяна».

Экземпляры: Всего: 2, из них: чзнл-1, ЭБС-1

Управляемое диссипативное туннелирование. Туннельный транспорт в низкоразмерных системах : Памяти Анатолия Ивановича Ларкина / Д.А. Антонов, А.К. Арынгазин, В.А. Бендерский, др. и ; под ред. Э.Дж.Леггета. - Москва : Физматлит, 2011. - 495 с. : ил. - Авт. указаны на обороте тит. л. - Библиогр.: с.464-491. - ISBN 978-5-9221-1362-5.

Шифры: 530.1 - У 677

Аннотация: В монографии приведены как основополагающие труды А.И. Ларкина по теории квантового туннелирования с диссипацией, так и работы по развитию науки о диссипативном туннелировании, в частности, рассматриваются влияние диссипации на квантовое туннелирование в макроскопических системах, двумерные туннельные бифуркации, развитие теории диссипативного туннелирования в низкоразмерных системах различной природы: от низкоразмерных адиабатических химических реакций, идущих по туннельному механизму, до процессов туннельного распада в квантовой динамике наносистем. Впервые публикуются лекции А.И. Ларкина «Квантовая локализация в нерегулярных системах разной мерности». Для студентов и аспирантов, специализирующихся в области теоретической физики и физики конденсириванного состояния, и для специалистов, интересующихся приложениями современной квантовой теории в физике низкоразмерных систем. Рецензенты: проф. А.В. Борисов, проф. В.Я. Кривнов, проф. К.А. Матвеев Редакторы: А.К. Арынгазин, В.А. Бендерский, Ю.И. Дахновский, Х. Деккер, В.Ч. Жуковский, В.Д. Кревчик, Ю.Н. Овчинников, М.Б. Семенов, А.И. Тернов, К. Ямамото Авторский коллектив: Антонов Д.А., Арынгазин А.К., Бендерский В.А., Веремьев В.А., Ветошкин Е.В., Волчихин В.И., Гак Л.Н., Горшков О.Н., Грозная Е.В., Грунин А.Б., Губина С.А., Дахновский Ю.И., Деккер Х., Жуковский В.Ч., Зайцев Р.В., Ивлев Б.И., Йорк Дж.Т., Калдейра А.О., Кац Е.И., Коалсон Р.Д., Кревчик В.Д., Кревчик П.В., Кудряшов Е.И., Лапшина М.А., Ларкин А.И., Леггет Э.Дж., Овчинников А.А., Овчинников Ю.Н., Разумов А.В., Рудин В.А., Семенов М.Б., Семенов О.Ф., Скибицкая Н.Ю., Смирнов Ю.Г., Суто А., Тернов А.И., Тромсдорф Г.П., Фальковский Л.А., Филатов Д.О., Чупрунов Е.В.,Шенина М.Е., Ямамото К.

Экземпляры: Всего: 3, из них: чзнл-2, ЭБС-1

Импульсная электроника / Е.Ф. Лебедев, Е.А. Мелешко, Ю.С. Протасов, К.Ю. Сахаров ; под общ. ред. И.Б. Федорова. - Москва : Янус-К, 2011-. - (Электроника в техническом университете. Прикладная электроника).
Ч. 1. Импульсная электроника. - 2011. - 751 с. : ил. - Библиогр.: с.747. - ISBN 978-8037-0549-9.
Ч. 2 : Высокоэнергетичная импульсная электроника. - 2013. - 670 с. : ил. - Библиогр.: с.666-667. - ISBN 978-8037-0550-5.

Шифры: 621.37 - И 546

Академик К.А. Валиев и его научная школа : избранные труды / РАН, Физ.-технологический ин-т. - Москва : Наука, 2011. - 482 , [1] с., 5 л. ил.,1 л. портр. : ил. - Библиогр. в конце ст. - ISBN 978-5-02-037492-8.

Шифры: 53 - А 381

Аннотация: Приводится систематизированное изложение основных работ академика К.А. Валиева и его научной школы в области теории магнитного резонанса и оптической спектроскопии на ядрах парамагнитных атомов, теории броуновского вращения молекул в жидкостях, электронного парамагнитного резонанса. Рассматриваются основные научные достижения в направлении оптимизации степени интеграции ИС в зависимости от уровня плотности дефектов, экспериментальные и теоретические исследования явления фазового перехода металл-полупроводник в окислах ванадия, построения быстродействующих цифровых интегральных схем на кремнии и арсениде галлия. Отражены работы в области развития технологии микроэлектроники и физических основ субмикронных литографических процессов, а также основные работы в области квантовых компьютеров и квантовой информатики. Для специалистов, занимающихся элементной базой вычислительной техники и системами управления.

Экземпляры: Всего: 1, из них: чзнл-1

Херлах Д.
Метастабильные материалы из переохлажденных расплавов / Д. Херлах, П. Галенко, Д. Халланд-Мориц ; перевод с английского Н.В.Худойкиной, под ред. П.К.Галенко. - Москва : НИЦ "Регулярная и хаотическая динамика" ; Ижевск : Ин-т компьютерных исследований, 2010. - 481 с. : ил. - Библиогр.в конце глав. - ISBN 978-5-93972-773-0.

Шифры: 539.2 - Х 394

Экземпляры: Всего: 2, из них: МАТИ-АМ-1, чзнл-1

Высокие технологии в промышленности России (материалы и устройства функциональной электроники и микрофотоники) (9-11 сентября 2010; Москва, ЦНИТИ "Техномаш").
Материалы XVI Международной научно-технической конференции: Материалы ХХIII Международного симпозиума / ОАО ЦНИТИ "Техномаш", МГТУ им. Н.Э.Баумана. - М. : Техномаш, 2010. - 463 с. : ил. - Библиогр. в конце докл. - ISBN 978-5-902740-14-8.

Шифры: 621.385 - В 932

Экземпляры: Всего: 1, из них: чзнл-1

Сигов А.С.
Элементная база электронной техники / А.С. Сигов, Р.А. Попо ; под ред. А.С.Сигова. - М. : САЙНС-ПРЕСС, 2009. - 355 с. : ил. - (Информационные технологии в электронной технике, ред. А.С.Сигов). - Библиогр.: с.355 (29 назв.). - ISBN 978-5-88070-232-9.

Шифры: 621.385 - С 345

Аннотация: Рассмотрены основные понятия, свойства и характеристики информационных технологий как комплекса научных и инженерных знаний, воплощенных в способах, приемах труда, наборах материально-существенных факторов производства, способах их соединения для создания какого-либо продукта или услуги; приведены сведения из вакуумной техники, полупроводниковой и микроэлектронной техники, функциональной электроники, теории надежноcти, контроля и испытаний, взаимодействия излучений с материалами, элементами электронной техники; рассмотрены основные факторы ненадежности интегральных микросхем, радиационные явления в микросхемах; представлены материалы некоторых научных исследований, проведенных по заказам промышленности. [i]Для студентов, аспирантов, изучающих электронную технику, при подготовке к выпускному экзамену по специальностям электронной техники, а также инженерам и научным работникам

Экземпляры: Всего: 6, из них: абнл-2, чзнл-2, чзуч-2

Коган Ш.М.
Электронный шум и флуктуации в твердых телах / Ш.М. Коган ; перевод с английского К.Э. Нагаева. - М. : ФИЗМАТЛИТ, 2009. - 366 с. : ил. - Библиогр.: с. 334-363. - ISBN 978-5-9221-1106-5.

Шифры: 539.2 - К 57

Экземпляры: Всего: 1, из них: чзнл-1

Изюмов Ю.А.
Электронная структура соединений с сильными корреляциями / Ю.А. Изюмов, В.И. Анисимов. - Москва ; Ижевск : НИЦ "Регулярная и хаотическая динамика", 2009. - 375 с. : ил. - Библиогр.: с.346-375 (377 назв.). - ISBN 978-5-93972-695-5.

Шифры: 539.2 - И 398

Экземпляры: Всего: 2, из них: МАТИ-АМ-1, чзнл-1

Абрикосов А.А. (1928-2017).
Основы теории металлов / А.А. Абрикосов ; Под ред. Л.А.Фальковского. - Москва : ФИЗМАТЛИТ, 2009. - 598 с., 1 л. портр. : ил. - Библиогр.:с.581-594(310 назв.+48 назв.). - ISBN 978-5-9221-1097-6.

Шифры: 669 - А 166

Аннотация: Изложена современная теория нормальных и сверхпроводящих металлов без использования сложных математических методов. Помимо описания классических свойств, серьезное внимание уделено актуальным проблемам: квантовым интерференционным эффектам, локализации электронов случайным потенциалом, нелинейным явлениям, взаимному влиянию сверхпроводимости и магнетизма и др. Необходимо знакомство с квантовой механикой и статистикой. Для студентов и аспирантов физических специальностей вузов, а также научно-технических работников в области физики твердого тела.

Экземпляры: Всего: 2, из них: чзнл-1, ЭБС-1

Высокие технологии в промышленности России (материалы и устройства функциональной электроники и нанофотоники), Междунар. научно-техн. конф.(15; 9-11 сентяября 2009; Москва, МГТУ им.Н.Э.Баумана).
Материалы 15 Международной научно-технической конференции "Высокие технологии в промышленности России (материалы и устройства функциональной электроники и нанофотоники)". Материалы 22 Международного симпозиума "Тонкие пленки в электронике" / МГТУ им. Н.Э.Баумана; ОАО "ЦНИТИ "Техномаш". - М. : МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2009. - 535 с. : ил. - Посвящается 70-летию специальности "Электронное машиностроение". - Библиогр. в конце докл. - ISBN 978-5-902740-19-3.

Шифры: 621.385 - В 932

Экземпляры: Всего: 1, из них: чзнл-1

Ирхин В.Ю. (1960).
Электронная структура, физические свойства и коррелякционные эффекты в d- и f - металлах и их соединениях / В.Ю. Ирхин, Ю.П. Ирхин. - Москва ; Ижевск : Институт компьютерных исследований, 2008. - 474 с. : ил. - Библиогр.: с. 437-459 (738 назв.). - ISBN 978-5-93972-684-9.

Шифры: 539.2 - И 847

Аннотация: Монография включает рассмотрение всех основных физических свойств d- и f-переходных металлов и изложение соответствующих теоретических концепций. Подробно обсуждаются некоторые нетрадиционные вопросы: влияние особенностей плотности состояний на электронные свойства; многоэлектронное описание сильного коллективизированного магнетизма; механизмы магнитной анизотропии; микроскопическая теория аномальных кинетических явлений в ферромагнетиках. Помимо классических проблем физики твердого тела в применении к переходным металлам, рассмотрены современные достижения в теории электронных корреляций d- и f-систем в рамках многоэлектронных моделей. Книга рассчитана на широкий круг физиков-твердотельщиков любого возраста - как теоретиков, так и экспериментаторов.

Экземпляры: Всего: 2, из них: чзнл-1, ЭБС-1

Фостер Л.
Нанотехнологии. Наука, инновации и возможности / Л. Фостер ; перевод с английского А. Хачояна. - М. : Техносфера, 2008. - 348 с. : ил. - (Мир материалов и технологий. VI-18). - Библиогр. в конце глав. - ISBN 978-5-94836-161-1.

Шифры: 539.2 - Ф 811

Экземпляры: Всего: 11, из них: абнл-3, МАТИ-АТ-4, чзнл-3, чзТаганка-1