Кульбачинский В.А.
Физика наносистем / В.А. Кульбачинский. - Москва : Физматлит, 2022. - 767 с. : ил. - Библиогр. в конце глав. - ISBN 978-5-9221-1913-9.

Шифры: 537.6 - К 906

Аннотация: Представлены самые последние достижения в области физики наносистем, технологии получения и применения низкоразмерных структур. Излагаются теоретические и экспериментальные основы физики полупроводниковых наноструктур, сверхрешеток, низкоразмерных аллотропных модификаций углерода: графена, фуллерена, нанотрубок. Уделяется особое внимание топологическим эффектам в кристаллах, явлениям, связанным с поверхностными и краевыми состояниями в топологических изоляторах и вейловских металлах, квантовой нелокальности, квантовым и тепловым флуктуациям в сверхпроводящих системах мезоскопических размеров. Рассматриваются целочисленный и дробный квантовые эффекты Холла, спинтроника, магноника, спиновая калоритроника. Предложены новые концептуальные подходы и экспериментальные методы, а также оригинальные объяснения, опирающиеся на исследования, выполненные автором. Предназначается специалистам в области физики наносистем, физики конденсированного состояния, физики низких температур и сверхпроводимости. Детальное рассмотрение физических основ обсуждаемых явлений и свойств обходится без использования специальных методов теоретической физики, что делает изложение доступным для широкого круга профессиональных читателей. Будет полезна научным сотрудникам, аспирантам и студентам, а также всем, интересующимся последними открытиями и достижениями в этих областях.

Экземпляры: Всего: 2, из них: чзнл-2

Орлов А.В.
Радиационное порообразование и сегрегация в металлических системах / А.В. Орлов ; ФГБОУ ВПО "Югорск. гос. ун-т". - Ханты-Мансийск : УИП ЮГУ, 2013. - 273 с. : ил. - Библиогр.: с.250-273 (247 назв.). - ISBN 978-5-9611-0082-2.

Шифры: 539.2 - О-664

Аннотация: В книге исследуются диффузионные процессы в металлических системах, обусловленные облучением высокоэнергетическими частицами. При описании явлений, закономерностей решаются задачи физической кинетики в твердом теле с преимущественным использованием термодинамического подхода. Рассматриваются вопросы неустойчивости и самоорганизации. №-гранта: 13-08-07013

Экземпляры: Всего: 2, из них: чзнл-1, ЭБС-1

Грундман М. (1964-).
Основы физики полупроводников. Нанофизика и технические приложения / М. Грундман ; перевод с английского под ред. В.А. Гергеля. - 2-е изд. - Москва : Физматлит, 2012. - 771 с., [3] л. цв. ил. : ил. - Пер.: Grundmann, Marius The Physics of Semiconductors 978-3-642-13883-6. - Библиогр.: с.711-751 (1484 назв.). - Указ. - ISBN 978-5-9221-1394-6.

Шифры: 537.3 - Г 907

Аннотация: В учебнике известного немецкого физика М. Грундмана излагаются как фундаментальные основы физики твердого тела, так и последние достижения в области физики полупроводников и полупроводниковых приборов. Особое внимание уделяется оптоэлектронным и электромеханическим эффектам в сложных полупроводниковых структурах с микро- и наноразмерами функциональных элементов. Подробно рассматриваются приборные и схемотехнические реализации теоретических моделей. Изложены технические аспекты получения полупроводников и изготовления полупроводниковых структур.Во второе издание добавлены самые последние достижения в исследованиях органических и магнитных полупроводников, нанотехнологий, тонкопленочных транзисторов, прозрачных проводящих оксидов, новых типов солнечных батарей.Для научных работников и инженеров, работающих в области электроники и вычислительной техники, и студентов старших курсов соответствующих специальностей.

Экземпляры: Всего: 3, из них: абнл-1, МАТИ-АМ-1, чзнл-1

Академик Ю.А. Осипьян : избранные труды : [сборник] / РАН, Инсьитут физики твердого тела; [сост. А.А. Левченко]. - Москва : Борей, 2012. - 477, [2] с.477, VIII л. ил., портр. : ил., портр., табл. - Текст рус., англ. - Библиогр. в конце тр. - Список трудов Юрия Андреевича Осипьяна: с. 453-474. - ISBN 978-5-98393-020-9.

Шифры: 539.2 - А 381

Аннотация: Этот сборник посвящен 80-летию со дня рождения выдающегося ученого и крупного государственного деятеля нашей страны академика Российской академии наук Юрия Андреевича Осипьяна (1931–2008 гг.). Основное направление исследований Юрия Андреевича – физика твердого тела. Результаты работ, выполненных Ю.А. Осипьяном с сотрудниками в 1960-е г., привели к созданию нового научного направления – дислокационная физика, которое успешно развивается и в настоящее время. Вошедшие в сборник статьи распределены довольно условно по четырем разделам: первые работы; изучение свойств дислокаций в полупроводниках; высокотемпературные сверхпроводники; физика фуллеренов и наноструктурированных углеродных материалов. Каждый из разделов отражает эволюцию основных направлений исследований Юрия Андреевича и созданной им «школы Осипьяна».

Экземпляры: Всего: 2, из них: чзнл-1, ЭБС-1

Управляемое диссипативное туннелирование. Туннельный транспорт в низкоразмерных системах : Памяти Анатолия Ивановича Ларкина / Д.А. Антонов, А.К. Арынгазин, В.А. Бендерский, др. и ; под ред. Э.Дж.Леггета. - Москва : Физматлит, 2011. - 495 с. : ил. - Авт. указаны на обороте тит. л. - Библиогр.: с.464-491. - ISBN 978-5-9221-1362-5.

Шифры: 530.1 - У 677

Аннотация: В монографии приведены как основополагающие труды А.И. Ларкина по теории квантового туннелирования с диссипацией, так и работы по развитию науки о диссипативном туннелировании, в частности, рассматриваются влияние диссипации на квантовое туннелирование в макроскопических системах, двумерные туннельные бифуркации, развитие теории диссипативного туннелирования в низкоразмерных системах различной природы: от низкоразмерных адиабатических химических реакций, идущих по туннельному механизму, до процессов туннельного распада в квантовой динамике наносистем. Впервые публикуются лекции А.И. Ларкина «Квантовая локализация в нерегулярных системах разной мерности». Для студентов и аспирантов, специализирующихся в области теоретической физики и физики конденсириванного состояния, и для специалистов, интересующихся приложениями современной квантовой теории в физике низкоразмерных систем. Рецензенты: проф. А.В. Борисов, проф. В.Я. Кривнов, проф. К.А. Матвеев Редакторы: А.К. Арынгазин, В.А. Бендерский, Ю.И. Дахновский, Х. Деккер, В.Ч. Жуковский, В.Д. Кревчик, Ю.Н. Овчинников, М.Б. Семенов, А.И. Тернов, К. Ямамото Авторский коллектив: Антонов Д.А., Арынгазин А.К., Бендерский В.А., Веремьев В.А., Ветошкин Е.В., Волчихин В.И., Гак Л.Н., Горшков О.Н., Грозная Е.В., Грунин А.Б., Губина С.А., Дахновский Ю.И., Деккер Х., Жуковский В.Ч., Зайцев Р.В., Ивлев Б.И., Йорк Дж.Т., Калдейра А.О., Кац Е.И., Коалсон Р.Д., Кревчик В.Д., Кревчик П.В., Кудряшов Е.И., Лапшина М.А., Ларкин А.И., Леггет Э.Дж., Овчинников А.А., Овчинников Ю.Н., Разумов А.В., Рудин В.А., Семенов М.Б., Семенов О.Ф., Скибицкая Н.Ю., Смирнов Ю.Г., Суто А., Тернов А.И., Тромсдорф Г.П., Фальковский Л.А., Филатов Д.О., Чупрунов Е.В.,Шенина М.Е., Ямамото К.

Экземпляры: Всего: 3, из них: чзнл-2, ЭБС-1

Херлах Д.
Метастабильные материалы из переохлажденных расплавов / Д. Херлах, П. Галенко, Д. Халланд-Мориц ; перевод с английского Н.В.Худойкиной, под ред. П.К.Галенко. - Москва : НИЦ "Регулярная и хаотическая динамика" ; Ижевск : Ин-т компьютерных исследований, 2010. - 481 с. : ил. - Библиогр.в конце глав. - ISBN 978-5-93972-773-0.

Шифры: 539.2 - Х 394

Экземпляры: Всего: 2, из них: МАТИ-АМ-1, чзнл-1

Коган Ш.М.
Электронный шум и флуктуации в твердых телах / Ш.М. Коган ; перевод с английского К.Э. Нагаева. - М. : ФИЗМАТЛИТ, 2009. - 366 с. : ил. - Библиогр.: с. 334-363. - ISBN 978-5-9221-1106-5.

Шифры: 539.2 - К 57

Экземпляры: Всего: 1, из них: чзнл-1

Изюмов Ю.А.
Электронная структура соединений с сильными корреляциями / Ю.А. Изюмов, В.И. Анисимов. - Москва ; Ижевск : НИЦ "Регулярная и хаотическая динамика", 2009. - 375 с. : ил. - Библиогр.: с.346-375 (377 назв.). - ISBN 978-5-93972-695-5.

Шифры: 539.2 - И 398

Экземпляры: Всего: 2, из них: МАТИ-АМ-1, чзнл-1

Абрикосов А.А. (1928-2017).
Основы теории металлов / А.А. Абрикосов ; Под ред. Л.А.Фальковского. - Москва : ФИЗМАТЛИТ, 2009. - 598 с., 1 л. портр. : ил. - Библиогр.:с.581-594(310 назв.+48 назв.). - ISBN 978-5-9221-1097-6.

Шифры: 669 - А 166

Аннотация: Изложена современная теория нормальных и сверхпроводящих металлов без использования сложных математических методов. Помимо описания классических свойств, серьезное внимание уделено актуальным проблемам: квантовым интерференционным эффектам, локализации электронов случайным потенциалом, нелинейным явлениям, взаимному влиянию сверхпроводимости и магнетизма и др. Необходимо знакомство с квантовой механикой и статистикой. Для студентов и аспирантов физических специальностей вузов, а также научно-технических работников в области физики твердого тела.

Экземпляры: Всего: 2, из них: чзнл-1, ЭБС-1

Ирхин В.Ю. (1960).
Электронная структура, физические свойства и коррелякционные эффекты в d- и f - металлах и их соединениях / В.Ю. Ирхин, Ю.П. Ирхин. - Москва ; Ижевск : Институт компьютерных исследований, 2008. - 474 с. : ил. - Библиогр.: с. 437-459 (738 назв.). - ISBN 978-5-93972-684-9.

Шифры: 539.2 - И 847

Аннотация: Монография включает рассмотрение всех основных физических свойств d- и f-переходных металлов и изложение соответствующих теоретических концепций. Подробно обсуждаются некоторые нетрадиционные вопросы: влияние особенностей плотности состояний на электронные свойства; многоэлектронное описание сильного коллективизированного магнетизма; механизмы магнитной анизотропии; микроскопическая теория аномальных кинетических явлений в ферромагнетиках. Помимо классических проблем физики твердого тела в применении к переходным металлам, рассмотрены современные достижения в теории электронных корреляций d- и f-систем в рамках многоэлектронных моделей. Книга рассчитана на широкий круг физиков-твердотельщиков любого возраста - как теоретиков, так и экспериментаторов.

Экземпляры: Всего: 2, из них: чзнл-1, ЭБС-1

Лебедев А.И.
Физика полупроводниковых приборов / А.И. Лебедев. - М. : ФИЗМАТЛИТ, 2008. - 487 с. : ил. - Библиогр.: с.463-477 (356 назв.). - ISBN 978-5-9221-0995-6.

Шифры: 621.382 - Л 33

Экземпляры: Всего: 1, из них: чзнл-1

Фостер Л.
Нанотехнологии. Наука, инновации и возможности / Л. Фостер ; перевод с английского А. Хачояна. - М. : Техносфера, 2008. - 348 с. : ил. - (Мир материалов и технологий. VI-18). - Библиогр. в конце глав. - ISBN 978-5-94836-161-1.

Шифры: 539.2 - Ф 811

Экземпляры: Всего: 11, из них: абнл-3, МАТИ-АТ-4, чзнл-3, чзТаганка-1

Развитие дефектов при конечных деформациях. Компьютерное и физическое моделирование / В.А. Левин, В.В. Калинин, К.М. Зингерман, А.В. Вершинин ; под ред. В.А.Левина. - М. : ФИЗМАТЛИТ, 2007. - 391 с. : ил. - Авт. на обл. не указаны. - Библиогр.: с.366-391 (403 назв.). - ISBN 978-5-9221-0868-3.

Шифры: 62 - Р 17

Аннотация: Рассмотрены в рамках механики деформируемого твердого тела новые модели роста дефектов в телах с конечными деформациями. Описаны модели, учитывающие возникновение зон предразрушения и их развитие. Изложены основные положения теории многократного наложения больших деформаций, позволяющей учитывать перераспределение конечных деформаций при развитии дефекта. Приведены критерии прочности, включая нелокальные. Уделено внимание проблемам деформирования и разрушения эластомеров, в том числе и с нановключениями. Изложены подходы и методы компьютерного моделирования, использующие численные, численно-аналитические и аналитические методы вычислений. Обсужден случай использования МКЭ для несжимаемых материалов. Читатель с минимальной подготовкой в области механики сплошной среды сможет прочесть книгу без обращения к дополнительной литературе, а специалист может выбрать только те разделы, которые ему интересны, или просто использовать результаты решения рассмотренных задач. Для научных работников, инженеров, преподавателей и студентов старших курсов, занимающихся проблемами механики деформируемого твердого тела, механики разрушения и расчета элементов конструкций при конечных деформациях, ослабленных образованными и развивающимися дефектами.

Экземпляры: Всего: 1, из них: чзнл-1

Гусев А.И.
Нестехиометрия, беспорядок, ближний и дальный порядок в твердом теле / А.И. Гусев. - М. : ФИЗМАТЛИТ, 2007. - 855 с. : ил. - (Фундаментальная и прикладная физика). - Библиогр. в конце глав. - ISBN 978-5-9221-0609-2.

Шифры: 541 - Г 962

Аннотация: Нестехиометрия, обусловленная наличием структурных вакансий, широко распространена в твердофазных соединениях и создает предпосылки для неупорядоченного или упорядоченного распределения атомов и вакансий. Упорядочение и разупорядочение возможны в любых системах с замещением. К ним относятся рассматриваемые в книге сильно нестехиометрические соединения (карбиды, нитриды, оксиды переходных металлов и родственные им тройные соединения внедрения), металлические сплавы и твердые растворы замещения. Изложено современное состояние исследований структурных фазовых переходов порядок-беспорядок в нестехиометрических соединениях. Приведен обширный экспериментальный материал по структуре и свойствам неупорядоченной и упорядоченных фаз нестехиометрических соединений, соотношению между ближним и дальним порядком в упорядочивающихся сплавах, твердых растворах и нестехиометрических соединениях. Подробно рассмотрены результаты симметрийного анализа превращений беспорядок-порядок, описаны основные методы расчета фазовых равновесий в системах с нестехиометрией, приведены результаты расчетов равновесных фазовых диаграмм упорядочивающихся систем. Даны исчерпывающий анализ и объяснение влияния упорядочения на различные свойства сильно нестехиометрических соединений. Для специалистов в области теории фазовых превращений в твердом теле, в области физики и химии твердого тела и теоретического материаловедения.

Экземпляры: Всего: 1, из них: чзнл-1

Рамбиди Н.Г.
Нанотехнологии и молекулярные компьютеры / Н.Г. Рамбиди. - М. : ФИЗМАТЛИТ, 2007. - 255 с. : ил. - Библиогр.: с.252-255. - ISBN 978-5-9221-0869-0.

Шифры: 539.2 - Р 21

Аннотация: Эта книга об одном из ранних и активно развивающихся направлений нанотехнологии - создании вычислительных устройств, в которых в качестве элементной базы используются отдельные молекулы или же их сравнительно небольшие ансамбли. Изложены основные принципы обработки информации на молекулярном уровне, сложная и во многом противоречивая история разработки молекулярных вычислительных устройств и последние результаты, которые позволяют надеяться на новый прорыв в современной вычислительной технике. Рассматриваются цифровые молекулярные системы, сходные по своей архитектуре с современными компьютерами, а также устройства, имитирующие биологические принципы обработки информации, которые, по-видимому, смогут эффективно решать задачи искусственного интеллекта. Для студентов, аспирантов и научных работников, создающих новые перспективные средства обработки информации, а также для широкого круга читателей, интересующихся этой проблемой.

Экземпляры: Всего: 17, из них: абнл-5, МАТИ-АТ-8, чзнл-2, чзТаганка-2

Головин Ю.И.
Введение в нанотехнику / Ю.И. Головин. - Москва : Машиностроение, 2007. - 493 с. : ил. - Библиогр. в конце глав. - ISBN 978-5-217-03378-2.

Шифры: 539.2 - Г 611

Аннотация: Кратко изложены термины, принципы, достижения и перспективы стремительно развивающейся области науки, техники и бизнеса - нанотехники и нанотехнологии. Представлены все важнейшие направления работ в этой сфере. Параллельно с русской терминологией приведена англоязычная, так как, во-первых, часть терминов сначала появилась в английском языке и не всегда русские термины удачно передают их смысл. Во-вторых, даже английская терминология в области нанонауки не установилась окончательно, а русскоязычная тем более, что требует разъяснений и комментариев. Пособие имеет целью в общедоступной форме познакомить студентов, аспирантов, инженеров различных специальностей, которые должны заниматься вопросами освоения нанотехнологии и нанотехники в своихпредметных областях, с основными идеями и подходами, а также существующими и перспективными разработками в максимально концентрированном виде.

Экземпляры: Всего: 7, из них: абнл-3, чзнл-2, чзуч-2

Суздалев И.П.
Нанотехнология.Физико-химия нанокластеров,наноструктур и наноматериалов / И.П. Суздалев. - Москва : КомКнига, 2006. - 589 с. : ил. - (Синергетика: от прошлого к будущему). - Библиогр.в конце гл. - ISBN 5-484-00243-5.

Шифры: 539.2 - С 893

Аннотация: Книга освещает круг вопросов, которые могут составить область науки о нанообъектах, процессах и явлениях, проходящих на уровне размеров 1-100 нм. В этой области наблюдаются эффекты, чувствительные как к отдельным атомно-молекулярным уровням энергии, так и к коллективным свойствам тел. Развитие науки о нанокластерах и наносистемах и методов их исследования привело к созданию нанотехнологии, наноматериалов и наноустройств, отличающихся уникальными свойствами и перспективами применения. Книга представляет собой попытку соединения теоретических и экспериментальных данных о нанокластерах и наносистемах с некоторыми вопросами более общего, вводного характера: методами исследования нанокластеров и поверхности твердого тела и микроскопическими и термодинамическими подходами к изучению нанокластеров и поверхности. Такая структура книги нашла свое отражение благодаря работам автора в Институте химической физики им. Н. Н. Семенова РАН и чтению курса лекций по физико-химии нанокластеров и наноструктур в Московском государственном университете им. М. И. Ломоносова, на факультете наук о материалах. Книга может быть полезной как для студентов и аспирантов, так и для научных работников, ведущих исследования или начинающих работать в области нанотехнологий.

Экземпляры: Всего: 5, из них: абнл-2, чзнл-2, ЭБС-1

Кобаяси Н.
Введение в нанотехнологию / Н. Кобаяси ; перевод с японского А.В. Хачояна; под ред. Л.Н. Патрикеева. - Москва : БИНОМ. Лаборатория знаний, 2005. - 134 с. : ил. - (Нанотехнологии). - ISBN 5-94774-218-7.

Шифры: 539.2 - К 55

Экземпляры: Всего: 3, из них: чзнл-3

Харрис П.
Углеродные нанотрубы и родственные структуры.Новые материалы ХХ1 века / П. Харрис ; перевод с английского под ред. и с доп. Л.А. Чернозатонского. - М : Техносфера, 2003. - 335 с. : ил. - (Мир материалов и технологий). - Библиогр.в конце глав. - ISBN 5-9436-013-х.

Шифры: 539.2 - Х 218

Экземпляры: Всего: 26, из них: МАТИ-АТ-19, чзнл-2, чзТаганка-5

Ю Питер.
Основы физики полупроводников / Питер Ю, М. Кардон ; перевод с английского И.И. Решиной, под ред. Б.П. Захарчени. - [Изд. 3-е]. - Москва : Физматлит, 2002. - 560 с. : ил. - Библиогр.: с.509-541 . - ISBN 5-9221-0268-0.

Шифры: 537.3 - Ю 11

Аннотация: Настоящее, уже третье издание «Основ физики полупроводников» должно заполнить нишу между учебниками по физике твердого тела и научными статьями путем детального объяснения электронных, колебательных, транспортных и оптических свойств полупроводников. В книге применен скорее физический, чем строго формальный подход к рассматриваемым явлениям. Строгая теория дана лишь для объяснения экспериментальных результатов. Книга предназначена как для студентов, так и для научных работников. Основное внимание уделяется объяснению физических свойств Si и подобных ему тетраэдрических полупроводников, причем объяснение дано с точки зрения физической картины явления. Каждая глава содержит таблицы с параметрами материалов, рисунки и задачи. Многие из этих задач «за руку» приведут студентов к научным результатам.

Экземпляры: Всего: 3, из них: МАТИ-АМ-1, чзнл-2