Кульбачинский В.А.
Физика наносистем / В.А. Кульбачинский. - Москва : Физматлит, 2022. - 767 с. : ил. - Библиогр. в конце глав. - ISBN 978-5-9221-1913-9.

Шифры: 537.6 - К 906

Аннотация: Представлены самые последние достижения в области физики наносистем, технологии получения и применения низкоразмерных структур. Излагаются теоретические и экспериментальные основы физики полупроводниковых наноструктур, сверхрешеток, низкоразмерных аллотропных модификаций углерода: графена, фуллерена, нанотрубок. Уделяется особое внимание топологическим эффектам в кристаллах, явлениям, связанным с поверхностными и краевыми состояниями в топологических изоляторах и вейловских металлах, квантовой нелокальности, квантовым и тепловым флуктуациям в сверхпроводящих системах мезоскопических размеров. Рассматриваются целочисленный и дробный квантовые эффекты Холла, спинтроника, магноника, спиновая калоритроника. Предложены новые концептуальные подходы и экспериментальные методы, а также оригинальные объяснения, опирающиеся на исследования, выполненные автором. Предназначается специалистам в области физики наносистем, физики конденсированного состояния, физики низких температур и сверхпроводимости. Детальное рассмотрение физических основ обсуждаемых явлений и свойств обходится без использования специальных методов теоретической физики, что делает изложение доступным для широкого круга профессиональных читателей. Будет полезна научным сотрудникам, аспирантам и студентам, а также всем, интересующимся последними открытиями и достижениями в этих областях.

Экземпляры: Всего: 2, из них: чзнл-2

Сегнетоэлектрические твердые растворы Li_xNa_1-xTa_yNb_1-yO_3. Синтез, структура, свойства / Н.В. Сидоров, М.Н. Палатников, Н.А. Теплякова, В.Т. Калинников; Институт химии и технологии редких элементов и минерального сырья им. И.В.Тананаева Кольского научного центра РАН. - Москва : Наука, 2015. - 231 с. : ил. - Библиогр:с.207-220 (193 назв.). - ISBN 978-5-02-038506-1.

Шифры: 537 - С 283

Аннотация: В монографии изложены оригинальные результаты иследований авторов в области синтеза сегнетоэлектрических твердых растворов LixNa1–xTayNb1–yО3 и результаты комплексных исследований особенностей их структуры, фазовых состояний и физических характеристик. Для преподавателей, научных сотрудников, аспирантов и специалистов в области физической химии, материаловедения и технологии сегнетоэлектрических твердотельных материалов электронной техники. №-гранта: 15-03-07009

Экземпляры: Всего: 3, из них: чзнл-2, ЭБС-1

Грундман М. (1964-).
Основы физики полупроводников. Нанофизика и технические приложения / М. Грундман; перевод с английского под ред. В.А. Гергеля. - 2-е изд. - Москва : Физматлит, 2012. - 771 с., [3] л. цв. ил. : ил. - Пер.: Grundmann, Marius The Physics of Semiconductors 978-3-642-13883-6. - Библиогр.: с.711-751 (1484 назв.); Указ. - ISBN 978-5-9221-1394-6.

Шифры: 537.3 - Г 907

Аннотация: В учебнике известного немецкого физика М. Грундмана излагаются как фундаментальные основы физики твердого тела, так и последние достижения в области физики полупроводников и полупроводниковых приборов. Особое внимание уделяется оптоэлектронным и электромеханическим эффектам в сложных полупроводниковых структурах с микро- и наноразмерами функциональных элементов. Подробно рассматриваются приборные и схемотехнические реализации теоретических моделей. Изложены технические аспекты получения полупроводников и изготовления полупроводниковых структур.Во второе издание добавлены самые последние достижения в исследованиях органических и магнитных полупроводников, нанотехнологий, тонкопленочных транзисторов, прозрачных проводящих оксидов, новых типов солнечных батарей.Для научных работников и инженеров, работающих в области электроники и вычислительной техники, и студентов старших курсов соответствующих специальностей.

Экземпляры: Всего: 3, из них: абнл-1, МАТИ-АМ-1, чзнл-1

Физика сегнетоэлектриков: современный взгляд / под ред. К.М. Рабе, Ч.Г. Ана, Ж.-М. Трискона; перевод с английского Б.А. Струкова, А.И. Лебедева. - Москва : БИНОМ.Лаборатория знаний, 2011. - 440 с. : ил. - Библиогр. в конце гл. - ISBN 978-5-9963-0302-1.

Шифры: 537 - Ф 503

Экземпляры: Всего: 1, из них: чзнл-1

Белоконь А.В.
Математическое моделирование необратимых процессов поляризации / А.В. Белоконь, А.С. Скалиух. - Москва : ФИЗМАТЛИТ, 2010. - 328 с. : ил., табл. - Библиогр.: с.302-328 (430 назв.). - ISBN 978-5-9221-1275-8.

Шифры: 537 - Б 435

Аннотация: Рассмотрены математические модели необратимых процессов поляризации и переполяризации сложных сегнетокерамических элементов. Предложены методы решения нелинейных и необратимых задач пластичности и поляризации поликристаллических сегнетоэлектрических материалов. Рассмотрены численные алгоритмы расчета остаточных полей поляризации и деформации. Решены некоторые задачи по определению физических характеристик неоднородно поляризованных пьезокерамических элементов. Для специалистов в области моделирования необратимых процессов в сегнетоэлектрических структурах, студентов, аспирантов и научных работников.

Экземпляры: Всего: 3, из них: МАТИ-АМ-1, чзнл-1, ЭБС-1

Лебедев А.И.
Физика полупроводниковых приборов / А.И. Лебедев. - М. : ФИЗМАТЛИТ, 2008. - 487 с. : ил. - Библиогр.: с.463-477 (356 назв.). - ISBN 978-5-9221-0995-6.

Шифры: 621.382 - Л 33

Экземпляры: Всего: 1, из них: чзнл-1

Ю Питер.
Основы физики полупроводников / Ю Питер, М. Кардон; перевод с английского И.И. Решиной, под ред. Б.П. Захарчени. - [Изд. 3-е]. - Москва : Физматлит, 2002. - 560 с. : ил. - Библиогр.: с.509-541 . - ISBN 5-9221-0268-0.

Шифры: 537.3 - Ю 11

Аннотация: Настоящее, уже третье издание «Основ физики полупроводников» должно заполнить нишу между учебниками по физике твердого тела и научными статьями путем детального объяснения электронных, колебательных, транспортных и оптических свойств полупроводников. В книге применен скорее физический, чем строго формальный подход к рассматриваемым явлениям. Строгая теория дана лишь для объяснения экспериментальных результатов. Книга предназначена как для студентов, так и для научных работников. Основное внимание уделяется объяснению физических свойств Si и подобных ему тетраэдрических полупроводников, причем объяснение дано с точки зрения физической картины явления. Каждая глава содержит таблицы с параметрами материалов, рисунки и задачи. Многие из этих задач «за руку» приведут студентов к научным результатам.

Экземпляры: Всего: 3, из них: МАТИ-АМ-1, чзнл-2

Анатычук Л.И.
Полупроводники в экстремальных температурных условиях / Л.И. Анатычук, Л.П. Булат. - СПб. : Наука, 2001. - 224 с. : ил. - Библиогр.:с.209-222(247 назв.). - ISBN 5-02-024960-2.

Шифры: 537.3 - А 643

Экземпляры: Всего: 4, из них: абнл-2, чзнл-2

Васильев А.В.
Дефектно-примесные реакции в полупроводниках / А.В. Васильев, А.И. Баранов; отв.ред.В.Н. Овсюк ;РАН, Сиб.отд-ние, Ин-т физики полупроводников. - Новосибирск : СО РАН, 2001. - 255 с. : ил. - Библиогр. в конце глав. - ISBN 5-7692-0428-1.

Шифры: 537.3 - В 191

Аннотация: Настоящая книга представляет собой фундаментальный труд по основам нелинейной динамики хаотических и стохастических систем. Книга включает исчерпывающее введение в теорию динамических и стохастических систем и детальный анализ современных результатов, в основном полученных авторами. Каждая из глав книги построена таким образом, что может изучаться независимо от других. В частности, каждая глава имеет свой собственный список литературы. Все это позволяет использовать предлагаемую книгу в качестве учебника для студентов и аспирантов физико-математических специальностей (глава 1), а также специалистам в области нелинейной динамики детерминированных (глава 2) и стохатических (глава 3) систем.

Экземпляры: Всего: 2, из них: МАТИ-АМ-1, чзнл-1

Электронные свойства дислокаций в полупроводниках / Ю.А. Осипьян, С.И. Бредихин, В.В. Кведер, и др.; Под ред.Осипьяна Ю.А. - М. : Эдиториал УРСС, 2000. - 319 с. : ил. - Авт.указаны на обороте тит.л. - Библиогр.:с.311-312 (25 назв.). - ISBN 5-8360-0068-9.

Шифры: 539.2 - Э 455

Экземпляры: Всего: 1, из них: чзнл-1

Алферов Ж.И.
Физика и жизнь / Ж.И. Алферов; РАН.Физико-техн.ин-т им.А.Ф.Иоффе. - СПб : Наука, 2000. - 254 с. : ил. - Библиогр.в конце ст. - ISBN 5-02-024926-2.

Шифры: 621.382 - А 535

Экземпляры: Всего: 2, из них: абнл-1, чзнл-1

Никифоров К.Г.
Многокомпонентные магнитные полупроводники / К.Г. Никифоров. - Калуга : КГПУ, 2000. - 176 с. : ил. - Библиогр.:с.151-161(396 назв.). - ISBN 5-88725-054-2.

Шифры: 537.3 - Н 627

Экземпляры: Всего: 2, из них: МАТИ-АМ-1, чзнл-1

Вакуумная технология и оснастка : Материалы междунар.конф. г.Паневежис (Литва),29-30 окт. 1998 г. / Моск. гос. ун-т. О-во ученых Литвы.Каунасский технол. ун-т и др. - М. : Моск.ун-т, 1999. - 111 с. : ил. - ISBN 5-211-04215-8.

Шифры: 539.2 - В 148

Экземпляры: Всего: 1, из них: чзнл-1

Чтения памяти А.Ф.Иоффе,1991 : Сб.науч.тр. / РАН.Физ.-техн.ин-т им.А.Ф.Иоффе;Отв.ред.В.М.Тучкевич. - СПб : Наука, 1993. - 94 с. : ил. - ISBN 5-02-024741-3.

Шифры: 537.3 - Ч-774

Экземпляры: Всего: 1, из них: чзнл-1

Балмуш И.И.
Термоэлектрические эффекты в многослойных полупроводниковых структурах / И.И. Балмуш, З.М. Дашевский, А.И. Касиян; Под ред.Д.В.Гицу;Кишинев.политехн.ин-т им.С.Лазо. - Кишинев : Штиинца, 1992. - 144 с. : ил. - Библиогр.:с.135-142(110 назв.). - ISBN 5-376-01359-6.

Шифры: 537.3 - Б 206

Экземпляры: Всего: 1, из них: чзнл-1

Фистуль В.И.
Амфотерные примеси в полупроводниках / В.И. Фистуль. - М. : Металлургия, 1992. - 240 с. : ил. - Библиогр.:с.234-240(270 назв.). - ISBN 5-229-00924-1.

Шифры: 537.2 - Ф 637

Экземпляры: Всего: 3, из них: абнл-2, чзнл-1

Электронное строение и свойства полупроводников и сегнетоэлектриков : Междунар.сб.науч.тр.в области физики твердого тела / Воронеж.гос.ун-т им.Ленинского комсомола. - Воронеж, 1991. - ISBN 5-7455-0516-8.

Шифры: 537.3 - Э 455

Экземпляры: Всего: 1, из них: чзнл-1

Ашмонтас С.
Электроны в полупроводниках. 5 : Электроградиентные явления в полупроводниках / С. Ашмонтас; Под ред.Ю.Пожелы;АН Лит.ССР.ин-т физики полупроводников. - Вильнюс : Мокслас, 1984. - 183 с. : ил. - Библиогр.:с.166-179 (291 назв.).

Шифры: 537.3 - А 985

Экземпляры: Всего: 3, из них: к/х7-1, чзнл-2